Bộ khuếch đại tiếng ồn thấp nhiệt độ thấp SiGe Series

CITLF1 là một bộ khuếch đại tiếng ồn thấp SiGe cho các ứng dụng nhiệt độ thấp tiếng ồn rất thấp. Bộ khuếch đại sử dụng phản hồi điện trở để phù hợp với đầu vào tốt (S11) và ổn định đạt được cao. Bộ khuếch đại có dải tần từ 0,1 MHz đến 1,5 GHz, nhưng 5 GHz vẫn có sẵn.

model

5. Bộ khuếch đại tiếng ồn thấp CITLF1 Cryogenic SiGe (0,001 đến 1,5 GHz)

6. Bộ khuếch đại tiếng ồn thấp CITLF2 Cryogenic SiGe (10 MHz đến 2 GHz)

7. Bộ khuếch đại tiếng ồn thấp CITLF3 Cryogenic SiGe (10 MHz đến 2GHz)

8. Bộ khuếch đại tiếng ồn thấp CITLF4 Cryogenic SiGe (0,5 đến 4 GHz)

Bộ khuếch đại tiếng ồn thấp CITLF1Cryogenic SiGe

CITLF1 này là một bộ khuếch đại tiếng ồn thấp SiGe cho các ứng dụng nhiệt độ thấp tiếng ồn rất thấp. Bộ khuếch đại sử dụng phản hồi điện trở để phù hợp với đầu vào tốt (S11) và ổn định đạt được cao. Bộ khuếch đại có dải tần từ 0,1 MHz đến 1,5 GHz, nhưng 5 GHz vẫn có sẵn.

Nó được cung cấp bởi một nguồn DC dương duy nhất và có thể được giảm xuống 1.5V 3.0mA để đạt được mức tiêu thụ điện năng thấp. Điện áp lên đến 6V sẽ không làm hỏng bộ khuếch đại. Nên giới hạn dòng điện của bộ khuếch đại trong vòng 100mA. Điện trở nối tiếp có thể được sử dụng. Ví dụ, khi bộ khuếch đại ở 20K, một nguồn 270 ohm,+5V sẽ nhận được 2,5V, 9mA.

Bộ khuếch đại bao gồm một DC biased tee cho các thiết bị bên ngoài được kết nối với đầu vào của bộ khuếch đại. Bù đắp tee được hình thành bởi hai điện trở 20K được kết nối với đầu vào; Một có thể được sử dụng như một nguồn hiện tại và một để cảm nhận điện áp ở cả hai đầu của thiết bị bên ngoài. Điện áp áp dụng trên ống bù đắp không ảnh hưởng đến hoạt động của bộ khuếch đại.

Kích thước của bộ khuếch đại là 20,7mm x 15,9mm x 8,7mm, không bao gồm đầu nối, SMA đầu vào ở bên trái và SMA đầu ra ở bên phải như trên.