Trong sự phát triển nhanh chóng của công nghệ lượng tử ngày nay, nguồn photon đơn là nền tảng cốt lõi của điện toán lượng tử, truyền thông lượng tử và cảm biến lượng tử, việc chuẩn bị và tối ưu hóa hiệu suất luôn là trọng tâm của lĩnh vực nghiên cứu khoa học. Với những ưu điểm độc đáo như không có liên kết treo bề mặt và có thể đạt được phát xạ photon đơn sáng ở nhiệt độ phòng, boron nitride lục phương trở thành ma trận lý tưởng để chuẩn bị nguồn photon đơn rắn.
Muốn thực hiện chuẩn bị chính xác cao, sàng lọc ổn định và điều chỉnh hiệu suất của nguồn photon đơn trong boron nitride sáu phương, không bao giờ có thể thoát khỏi nhu cầu cốt lõi này về điều khiển chính xác ở quy mô vi mô. Đài định vị nano áp điện lõi ngày mai chính là thiết bị quan trọng trong quá trình nghiên cứu này, cung cấp hỗ trợ định vị và quét ổn định, chính xác cao cho thí nghiệm.
I. Thách thức cốt lõi của nghiên cứu boron nitride sáu bên: Xử lý chính xác ở quy mô vi mô
Cốt lõi của nguồn monophoton boron nitride lục phương nằm ở các khiếm khuyết cấp nguyên tử bên trong vật liệu, thường có kích thước nano, và để nghiên cứu hiệu quả, điều kiện tiên quyết là xác định chính xác và khóa các khiếm khuyết mục tiêu.
Trong các nghiên cứu về nguồn đơn photon boron nitride lục phương, mỗi bước, từ đặc tính mẫu đến kiểm tra hiệu suất, đều đặt ra yêu cầu nghiêm ngặt về độ chính xác và ổn định xử lý: quan sát sự phân bố ánh sáng của các khuyết tật trong boron nitride lục phương hoặc kiểm tra quang phổ của nguồn đơn photon theo từng điểm, đòi hỏi phải tập trung chính xác laser vào các khu vực bị khuyết tật ở cấp độ nano.
Ngoài ra, trong quá trình kiểm tra, cần thực hiện theo vết liên tục các điểm phát sáng, đảm bảo tính chính xác của việc thu thập tín hiệu photon. Ngay cả việc sàng lọc nguồn photon đơn ổn định tiếp theo cũng yêu cầu mô tả tương phản của cùng một khu vực đối với các mẫu có trạng thái không nhất quán trước và sau để tránh ảnh hưởng đến kết quả thí nghiệm do độ lệch vị trí.
Những nhu cầu này, vừa vặn là lợi thế cốt lõi của đài định vị nano áp điện ngày mai: dựa vào độ chính xác chuyển động và độ ổn định tuyệt vời của cấp nano, nó có thể cung cấp giải pháp điều khiển chính xác cấp nano cho nghiên cứu nguồn photon đơn của boron nitride lục phương.
Sơ đồ cấu trúc phân tử Boron Nitride Hexagon
II. Kịch bản ứng dụng chính của bảng định vị nano áp điện lõi ngày mai
Trong quá trình thử nghiệm chuẩn bị nguồn photon đơn và nghiên cứu độ ổn định phát sáng của boron nitride sáu bên, bảng định vị nano áp điện lõi ngày mai tham gia sâu vào phần cốt lõi của thử nghiệm đặc tính và hiệu suất mẫu, thông qua điều khiển chính xác để bảo vệ độ tin cậy của dữ liệu thí nghiệm.
1, Hình ảnh quét huỳnh quang
Trong quá trình chuẩn bị nguồn monophoton boron nitride sáu phương, các nhà nghiên cứu cần quan sát sự phát sáng của các khiếm khuyết bằng kính hiển vi đồng tập trung quét huỳnh quang. Trong đó, đài định vị nano áp điện ngày mai đảm nhận vai trò của mẫu di động chính xác:
· Nó có thể kéo mẫu trong mặt phẳng hai chiều để thực hiện quét tự động, phạm vi quét bao gồm hoàn toàn khu vực mẫu cần thiết cho thí nghiệm;
· Độ chính xác chuyển động ở cấp độ nano đảm bảo độ chính xác vị trí của từng điểm quét, tránh rò rỉ hoặc tính toán sai các điểm phát sáng do độ lệch vị trí.
Dựa vào độ chính xác cao của máy quét định vị nano áp điện, các nhà nghiên cứu có thể nhanh chóng xác định những khu vực nào thiếu hụt boron nitride sáu chiều có đặc tính phát xạ photon đơn tiềm năng, thu hẹp phạm vi và định vị chính xác và nhanh chóng cho các thí nghiệm tiếp theo.

2, Kiểm tra vị trí một điểm
Khi có các quy luật tiến hóa trong cấu trúc mục tiêu do sự khác biệt về liều lượng, các nhà nghiên cứu cần thực hiện các thử nghiệm tinh tế trên các mục tiêu riêng lẻ, chẳng hạn như đo lường, xác minh các đặc tính của chúng, v.v. Trong quá trình này, khả năng định vị chính xác của đài định vị nano áp điện ngày mai là rất quan trọng:
· Nó có thể di chuyển chính xác từng điểm mục tiêu trên mẫu dưới tiêu điểm hiển vi để đảm bảo đo lường chính xác tình trạng phát sáng của từng mục tiêu;
· Trong thử nghiệm kéo dài, độ ổn định cao của bảng định vị nano áp điện có thể ức chế hiệu quả trôi dạt và đảm bảo tính liên tục và độ tin cậy của việc thu thập tín hiệu;
· Chương trình giao phối cũng có thể thực hiện liên kết với các mô-đun đếm cần thiết cho các thí nghiệm, có thể tự động hoàn thành thử nghiệm từng mục tiêu, nâng cao hiệu quả thí nghiệm đáng kể.
III. Đặc điểm của bảng định vị nano áp điện lõi ngày mai
Nghiên cứu lượng tử đòi hỏi thiết bị cao hơn nhiều so với các thí nghiệm thông thường, và lý do tại sao các thiết bị định vị nano áp điện lõi ngày mai có thể trở thành cánh tay phải của các thí nghiệm là do các đặc điểm cốt lõi của nó phù hợp với nhu cầu:
01 Độ chính xác cao và ổn định cao: độ phân giải chuyển động và đặc tính trôi dạt thấp ở cấp độ nano, đảm bảo xử lý chính xác ở quy mô vi mô, tránh ảnh hưởng đến kết quả thí nghiệm do lỗi thiết bị;
02 Tự động hóa và liên kết: Hỗ trợ điều khiển liên kết với kính hiển vi, máy quang phổ và các thiết bị khác, có thể thực hiện quy trình thử nghiệm tự động thông qua chương trình, giảm lỗi hoạt động của con người;
03 Tính linh hoạt thích hợp: có thể tùy chỉnh phạm vi quét và chế độ chuyển động theo nhu cầu thí nghiệm, bất kể là quét diện tích lớn hay định vị chính xác một điểm, đều có thể đáp ứng cảnh thí nghiệm đa dạng.

Core Tomorrow P12.XY100S Dòng Microbody Backlog Bảng định vị Nano
P12. XY100S loạt Micro Body Backlog Nano Positioning Table là ổ đĩa gốm Piezo, 2 chiều song song Pan Positioning Table, vòng tròn thông qua lỗ khoan trung tâm của bảng là tùy chọn 25mm hoặc 35mm, đáp ứng các ứng dụng vi mô và các ứng dụng khác. P12.XY100S Piezoelectric Nano Positioning Table có thể nhận ra hành trình dịch chuyển 100 μm của trục XY. Cấu trúc tất cả trong một, thể thao đa chiều không có khớp nối, nhiều mô hình thông số kỹ thuật có sẵn để đáp ứng nhu cầu của các ứng dụng khác nhau.

Thông số kỹ thuật
| model | Sản phẩm P12.XY100S |
| Mức độ tự do chuyển động | X, Y |
| Điều khiển ổ đĩa | Ổ đĩa 2 chiều, cảm biến 2 chiều |
| Phạm vi đột quỵ danh nghĩa (0~120V) | 80μm/trục |
| Max. Phạm vi hành trình (0~150V) | 100 µm/trục |
| Loại cảm biến | Sản phẩm SGS |
| Thông qua kích thước lỗ | Ø25mm |
| Độ phân giải | 3nm / 1nm |
| Tuyến tính vòng kín | 0,1% FS |
| Độ chính xác định vị lặp lại vòng kín | 0,05% FS |
| Cao độ/yaw/cuộn | < 10 μrad |
| Hướng chuyển động Đẩy/Kéo | 25N / 8N |
| Độ cứng hướng chuyển động | X0.25N / µm, Y0.3N / µm |
| Tần số cộng hưởng không tải | X180Hz, Y230Hz |
| Thời gian bước không tải | 15 ms / 0,8 ms |
| Tần số làm việc vòng kín (-3dB) | 50Hz (không tải) |
| Khả năng chịu tải | 0,7 kg |
| Công suất tĩnh điện | 1.8μF/trục |
| chất liệu | Thép, nhôm |
| trọng lượng | 200g |
Bộ điều khiển được đề xuất
Bộ điều khiển áp điện đa kênh E70.D2S-L là bộ điều khiển áp điện hai kênh dựa trên bộ điều khiển áp điện E70 tiêu chuẩn để thực hiện chuyển đổi giao diện truyền thông, có thể giao tiếp kỹ thuật số thông qua cổng nối tiếp, USB hoặc cổng lưới, rất thích hợp để điều khiển bảng định vị nano áp điện P12.XY100S. Bộ điều khiển E70.D2S-L được cung cấp bởi DC24V với băng thông lên đến 10kHz và có thể được điều khiển vòng kín bằng tín hiệu analog hoặc kỹ thuật số.

Thêm chi tiết, chào mừng đến ngày mai!